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【2020网络春晚】

随着NAND Flash市况好转♂□↑,大陆记忆体厂商长江存储16日宣布下一个阶段的技术发展目标♀♀,将跳过如今业界常见的 96 层↑,直接投入128 层NAND Flash 的研发工作┊,但尚未发布具体的目标时间表﹡π。大陆科技新闻驱动之家报导▽,对于长江存储计画跳过 96 层堆叠△⊙∴,直接投入128层堆叠 NAND Flash 产品的发展计画⌒,市场人士反映⊿↑π,在大陆极力发展自主半导体产业的情况下♀,期望弯道超车已经是各厂商努力的目标┊?,只是届时能不能完成﹡,还有待观察⊿﹡。 2020 年∟△,全球 NAND Flash 产业将集体朝向 100 层以上堆叠的发展已经成为趋势⊿⊙?,例如南韩SK海力士已在近期出货128层快闪记忆体并将在年底做到176层;三星有128层、136层▽△♂,威腾、铠侠(原东芝存储)都是112层但存储密度更高;美光128层;Intel则会做成144层♀π⊙。过去△♂♂,长江存储推出 64 层堆叠的NAND Flash 产品↑,相对于国际大厂有一到两代的差距♂♀﹡,因此这次选择以128 层堆叠的产品发展∴☆,一旦真的成功♀﹡↑,无疑的将能进一步缩小与业界其他领先对手的差距♂〇,不过在技术的挑战性上也将会更大♂♀▽。在技术创新层面⊿,长江存储研发了自己的Xtacking堆叠架构π,已经可以保证可靠性问题♂,下一代的Xtacking 2.0也正在推进中☆♂∟,会重点拓展性能、功能⌒,也是直接上128层堆叠的重要关键◇。根据长江存储先前的介绍☆,Xtacking 架构是在两片独立的晶圆上加工周边电路和储存单元﹡☆◇,有利于选择更先进的制程技术π♂◇,提升 NAND Flash 的 I/O 介面速度、储存密度∴,使得晶片面积也能减少约 25%?。当两片晶圆各自完工后∴,只需一个处理步骤就可透过数百万根垂直互联通道 (VIA)⊙☆♂,将两片晶圆结合在一起♂π。长江存储强调∟◇,受惠于并行且模组化的产品设计及制造方式◇⊿♀,这使得 Xtacking 架构的 NAND Flash 的开发时间也可缩短 3 个月﹡π♀,生产周期也可缩短 20%♂。长江存储日前还发布☆π,自主研发的 64 层堆叠 256Gb TLC NAND Flash 已经在2019年投入量产□,并正在扩充的产能┊,将尽早达成约产能10万片的规模﹡﹡,并达到计画总产能每月30万片的目标┊π。长江存储♀□△。图/湖北日报 分享 facebook 长江存储自研发64层快闪记忆体┊▽。图/快科技 分享 facebook

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